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12.8V（4S）磷酸鐵(tiě)锂電(diàn)池組保護闆規格書(shū)
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LWS-4S40A-050(4S)
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序号
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測試項目
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标準
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1
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電(diàn)壓
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充電(diàn)電(diàn)壓
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DC:14.4V 3.6/Cell
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單節均衡電(diàn)壓
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2
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電(diàn)流
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單節均衡電(diàn)流
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消耗電(diàn)流（自(zì)耗）
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≤50μA
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持續充電(diàn)電(diàn)流
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40A
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持續放(fàng)電(diàn)電(diàn)流
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40A
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3
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過充電(diàn)保護（單節）
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過充電(diàn)檢測電(diàn)壓
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3.90±0.025V
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過充電(diàn)檢測延時(shí)時(shí)間(jiān)
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0.5S—1.5S
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過充電(diàn)恢複電(diàn)壓
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3.80±0.05V
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4
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過放(fàng)電(diàn)保護（單節）
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過放(fàng)電(diàn)檢測電(diàn)壓
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2.00±0.08V
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過放(fàng)電(diàn)檢測延時(shí)時(shí)間(jiān)
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0.5S—1.5S
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過放(fàng)電(diàn)恢複電(diàn)壓
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2.50±0.10V
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5
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過電(diàn)流保護
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過電(diàn)流檢測電(diàn)壓
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150±25mv
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過電(diàn)流檢測電(diàn)流
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80±10A
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過電(diàn)流檢測延時(shí)時(shí)間(jiān)
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5mS—50mS
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恢複狀态
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斷開(kāi)負載，自(zì)動恢複
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6
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短(duǎn)路(lù)保護
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檢測狀态
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外(wài)部短(duǎn)路(lù)
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檢測延時(shí)時(shí)間(jiān)
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200-500us
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恢複狀态
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斷開(kāi)負載，自(zì)動恢複
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7
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內(nèi)阻
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保護線路(lù)（MOSFET）
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≤50mΩ
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8
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溫度
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工(gōng)作(zuò)溫度範圍
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Bitmap Bitmap Bitmap Bitmap Bitmap Bitmap
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儲存溫度範圍
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-40～+125℃
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